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技术特征：1.一种晶圆aoi检测标准片，其特征在于，所述晶圆aoi检测标准片包括第一版图和第二版图，第一版图包括多个按照预设规则排列的第一版图图案，第二版图包括多个按照预设规则排列的第二版图图案；多个第一版图构成第一制作区域，多个第二版图构成第二制作区域；其中，采用所述晶圆aoi检测标准片在晶圆制作后，使用检验aoi设备将第一制作区域和第二制作区域进行比对，统计各种不同缺陷的个数并将所述个数与预设阈值比较，确定晶圆表面不同缺陷对应的检出率。2.根据权利要求1所述的晶圆aoi检测标准片，其特征在于，第一制作区域设置于两侧的第二制作区域之间；所述第一版图图案的尺寸与第二版图图案的尺寸相同。3.一种版图，其特征在于，应用于半导体晶圆aoi检测，所述版图包括：多个按照预设规则排列的第一版图图案，所述第一版图图案布设有六种图形，所述六种图形为标准图形；第一版图图案在晶圆上制作后，使用检验aoi设备进行第一版图图案与第二版图图案的对应区域比对，确定晶圆表面的缺陷；其中第一版图图案与第二版图图案构成标准片。4.根据权利要求3所述的版图，其特征在于，所述第一版图图案的尺寸与第二版图图案的尺寸相同。5.一种版图，其特征在于，应用于半导体晶圆aoi检测，所述版图包括：多个按照预设规则排列的第二版图图案，所述第二版图图案布设有六种图形；每种图形中设置有不同的缺陷；第二版图图案在晶圆上制作后，使用检验aoi设备进行第一版图图案与第二版图图案的对应区域比对，确定晶圆表面的缺陷；其中第一版图图案与第二版图图案构成标准片。6.根据权利要求5所述的版图，其特征在于，所述第二版图图案中六种图形的布局与第一版图图案中的布局相同；第二版图图案的尺寸与第一版图图案的尺寸相同。7.根据权利要求5所述的版图，其特征在于，所述第二版图图案中六种图形包括第一图形、第二图形、第三图形、第四图形、第五图形以及第六图形；第一图形包括各种图形多余或者缺失区域，以及各区域对应有不同尺寸大小的缺失；其中图形多余或者缺失位于图形中间、边缘以及外侧；第二图形设置为缺失标志区域；第三图形为预留区域；第四图形包括用于表征晶圆上的凸起或者凹陷缺陷；第五图形包括用于验证针痕缺陷检测使用区域；第六图形设置为定位区域。8.根据权利要求7所述的版图，其特征在于，所述第一图形包括图形中心缺失、图形边缘缺失、无图形区域多余、图形边缘多余中至少一项；第二图形设置为预设图案；第三图形设置为方框；第四图形设置为圆形测试区域；第五图形设置为模拟电性能测试给晶圆扎针时带来的针痕区域；第六图形设置为预设图形。9.一种晶圆表面缺陷检测方法，其特征在于，采用如权利要求1或2的晶圆aoi检测标准片在晶圆制作；使用检验aoi设备将第一制作区域和第二制作区域进行比对；统计各种不同缺陷的个数并将所述个数与预设阈值比较，确定晶圆表面不同缺陷对应的检出率。10.根据权利要求9所述的晶圆表面缺陷检测方法，其特征在于，所述晶圆表面缺陷检测方法还包括：晶圆上芯片电性能测试在晶圆芯片引脚处插针后，使用检验aoi设备扫描晶圆将第一制作区域和第二制作区域进行比对，统计芯片内针痕缺陷的个数并将所述个数与预设阈值对比，确定芯片划痕该类缺陷的检出率。 技术总结本申请提供一种版图、晶圆AOI检测标准片及晶圆表面缺陷检测方法。其中晶圆AOI检测标准片包括第一版图和第二版图，第一版图包括多个按照预设规则排列的第一版图图案，同样第二版图包括相同布设的第二版图图案；多个第一版图图案构成第一制作区域，多个第二版图图案构成第二制作区域；其中，采用晶圆AOI检测标准片在晶圆制作后，使用检验AOI设备将第一制作区域和第二制作区域进行比对，统计各种不同缺陷的个数，并将个数与预设阈值比较，确定晶圆表面不同缺陷对应的检出率。本说明书实施例通过设置标准片并将标准片的版图布局制作在晶圆后，通过比对晶圆上缺陷区域与非缺陷区域确定晶圆表面缺陷的检出率。晶圆表面缺陷的检出率。晶圆表面缺陷的检出率。 技术研发人员：闫波受保护的技术使用者：魅杰光电科技（上海）有限公司技术研发日：2023.07.27技术公布日：2023/11/14
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